نسل جدید فلش مموری با فناوری نانو

0

محققان در مطالعه‌ای جدید به کمک نانو ساختارهای متخلخل، حافظه‌ای را طراحی کردند که می‌تواند با یک هزارم انرژی مورد نیاز ابزارهای امروزی، 20 گیگا بایت اطلاعات ذخیره کند.

این تیم تحقیقاتی فناوری جدیدی برای ذخیره‌سازی با حافظه حالت جامد با استفاده از تانتالیوم اکسید طراحی کردند که نسبت به نمونه‌های رایج امروزی مزیت‌های بسیار زیادی دارد.

دو الکترود پلاتینی، لایه‌های متشکل از گرافن چند لایه‌ای، تانتالیوم اکسید نانو متخلخل و تانتالیوم را در برمی‌گیرد. تانتالیوم اکسید به مرور زمان یون‌های اکسیژن خود را از دست می‌دهد و در قسمت بالایی این لایه به گونه غنی از اکسیژن و در قسمت پایین آن به گونه فقیر از اکسیژن تبدیل می‌شود. در مقایسه با فناوری‌ فلش که امروزه استفاده می‌شود و یک سیستم سه الکترودی است.

 تور، استاد علوم مواد، نانو مهندسی و علوم کامیپوتر دانشگاه رایس می‌گوید: این حافظه تانتالیومی براساس سیستم‌های حافظه دو پایانه‌ای است و حتی نیاز به دیودها یا گزینش گرها ندارد که آن را تبدیل به یکی از ساده‌ترین حافظه‌های فوق چگال مبدل کرده است.

این طراحی می‌تواند با استفاده از حافظه‌های آرایش میله‌ای تا حجم 20 گیگابایت اطلاعات ذخیره کند و تنها یک هزارم انرژی مورد نیاز ابزارهای امروزی را مصرف می‌کند. اگر این ادعاها در مقیاس بالا و تجاری به واقعیت تبدیل شود، در این صورت یک انقلاب بزرگ در زمینه ذخیره‌سازی حافظه ابزارهای امروزی را مصرف می‌کنند.

انتهای پیام/

لینک مطلب

پاسخ دهید