Friday 9 December 2016

بک لینک شاپ

کد خبر : 50004
تاریخ انتشار : سه شنبه 5 آوریل 2016 - 6:30
0 views بازدید

به لطف سامسونگ زمان تاخیر حافظه های رم کم خواهد شد (تراشه های جدید)

شرکت سامسونگ الکترونیک علاوه بر تولید پردازنده (SOC) و تراشه های وابسته،از دو سال گذشته تا کنون بخش عظیمی از منابع خود را برای ارتقاء در زمینه تولید تراشه های حافظه بسیج کرده است.این تراشه ها در دو مجموعه ی دائم و غیر دائم دسته بندی می شوند.هم اکنون سامسونگ به قول خود وفا کرده و حافظه های رم جدید خود را به تولید انبوه […]

به لطف سامسونگ زمان تاخیر حافظه های رم کم خواهد شد (تراشه های جدید)

شرکت سامسونگ الکترونیک علاوه بر تولید پردازنده (SOC) و تراشه های وابسته،از دو سال گذشته تا کنون بخش عظیمی از منابع خود را برای ارتقاء در زمینه تولید تراشه های حافظه بسیج کرده است.این تراشه ها در دو مجموعه ی دائم و غیر دائم دسته بندی می شوند.هم اکنون سامسونگ به قول خود وفا کرده و حافظه های رم جدید خود را به تولید انبوه رساند.

 

سامسونگ الکترونیک تجهیزات،سرمایه و پتانسیل کافی برای تولید انواع تراشه و صفحات نمایش را داراست.این کمپانی کره ای از مدت ها پیش به دنبال تولید تراشه های 10 نانومتری حافظه بود که امروز موفق به تولید انبوه آن شد.لیتوگرافی 10 نانومتری یکی از سخت ترین معماری های جهان است که تولید تراشه و چیپ با آن کاری بسیار دشوار است چنان که برخی از کمپانی ها از انجام آن بازمانده اند.سامسونگ اعلام کرده است که این تراشه ها در زمینه های صنعتی،ماژول های مشتق،رم های DDR4،کامپیوترهای آماده،لپ تاپ و…مورد استفاده خواهد بود.

سامسونگ پس از فائق آمدن بر موانع فنی،موفق به تولید این تراشه ها شده است.این چالش ها توسط آرگون فلوراید (ARF)،لیتوگرافی غوطه ور و اشعه ی شدید ماوراء بنفش از میان برداشته شده است.البته این برای اولین بار نیست که سامسونگ موفق به تولید تراشه های حافظه با لیتوگرافی خاص می شود.این اتفاق یکبار در سال 2014 و به همراه تولید تراشه های 20 نانومتری برای رم های DDR3 نیز اتفاق افتاد.نسا بعدی تراشه های 10 نانومتری می تواند در گوشی های موبایل و تبلت ها نیز مورد استفاده واقع شود.

در قسمت رم های کامپیوتر،ویفرهای 10 نانومتری در حجم 8 گیگابایت تولید خواهند شد.سامسونگ ادعا می کند که این تراشه ها به نسبت ویفرهای 8 گیگابایتی در گذشته تا 30% درصد دارای بهره وری بیشتری هستند.DRAM های جدید قادر به فعالیت در توان 3200 مگابیت بر ثانیه هستند و این در حالی است که تراشه های موجود که عموما از نوع 20 نانومتری هستند،تنها از سرعت 2400 مگابیت بر ثانیه حمایت می کنند.بدین ترتیب باید منتظر ماژول هایی با حجم و زمان تاخیر کمتر باشیم.سرعت نقل و انتقال تراشه ها رابطه ی مستقیم با تایمینگ های CL دارد

گیگر:

لینک مطلب

منابع : ناموجود
نویسندگان : ناموجود
چه امتیازی می دهید؟
5 / 0
[ 0 رای ]

برچسب ها :

ناموجود
ارسال نظر شما
انتشار یافته : 0 در انتظار بررسی : 6
  • نظرات ارسال شده توسط شما، پس از تایید توسط مدیران سایت منتشر خواهد شد.
  • نظراتی که حاوی تهمت یا افترا باشد منتشر نخواهد شد.
  • نظراتی که به غیر از زبان فارسی یا غیر مرتبط با خبر باشد منتشر نخواهد شد.


تبليغات تبليغات تبليغات تبليغات